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吉時(shí)利KEITHLEY源表測(cè)量能力和主要應(yīng)用

日期：2018-07-11瀏覽：4459次

吉時(shí)利KEITHLEY源表在統(tǒng)一自動(dòng)特征分析套件中、集成測(cè)試系統(tǒng)整合各種測(cè)試硬件，具有全面而*的測(cè)量能力：

·吉時(shí)利強(qiáng)大的4200-SCS半導(dǎo)體特征分析系統(tǒng)具有I-V源測(cè)量功能和專業(yè)脈沖測(cè)試工具包，用于先進(jìn)半導(dǎo)體材料測(cè)試的4200-PIV工具包。

·2600系列數(shù)字源表測(cè)試儀具有TSP-Link和測(cè)試腳本處理器(TSP)，可在運(yùn)行狀態(tài)下的NBTI測(cè)試或圓片級(jí)器件特征分析等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)可擴(kuò)展的I-V通道系統(tǒng)、高速并行測(cè)量和復(fù)雜測(cè)試序列等功能。

·2400系列數(shù)字源表測(cè)試儀能夠提供高電壓和高電流源，可用于高功率MOSFET和顯示驅(qū)動(dòng)器測(cè)試等領(lǐng)域。

·此外ACS集成測(cè)試系統(tǒng)還為用戶提供可選擇的開關(guān)、C表和脈沖發(fā)生器等附件。

吉時(shí)利KEITHLEY源表其中一些主要應(yīng)用如：

·通用超快I-V測(cè)量。脈沖式I-V測(cè)試具有很廣泛的應(yīng)用，它通過使用窄脈沖和/或低占空比脈沖而不是直流信號(hào)，能夠防止器件自熱效應(yīng)。

·CMOS器件特征分析。4225-PMU/4225-RPM的高速電壓源和電流測(cè)量靈敏度使得它們非常適合于CMOS器件的特征分析，包括高k器件和先進(jìn)CMOS工藝，如絕緣體上硅。

·非易失性存儲(chǔ)器測(cè)試。系統(tǒng)安裝的KTEI軟件提供了用于閃存和相變存儲(chǔ)器器件測(cè)試的工具包。該系統(tǒng)非常適合于單個(gè)存儲(chǔ)單元或小規(guī)模存儲(chǔ)陣列的測(cè)試，例如研發(fā)或工藝驗(yàn)證之類的應(yīng)用。

·化合物半導(dǎo)體器件與材料的特征分析。能夠?qū)II-V族材料進(jìn)行特征分析，例如氮化鎵、砷化鎵和其它一些化合物半導(dǎo)體。它允許用戶設(shè)置一個(gè)脈沖偏移電壓，然后從非零值進(jìn)行測(cè)量，從而研究器件的放大增益或線性度。

·NBTI/PBTI可靠性測(cè)試。自動(dòng)特征分析套件軟件還支持全自動(dòng)晶圓級(jí)和晶匣級(jí)測(cè)試，內(nèi)置NBTI/PBTI測(cè)試庫(kù)，具有簡(jiǎn)潔易用的GUI。

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